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产品名称：PL75-2M 所属分类：测试探针 产品简介：PL75探针、弹簧针、测试针、顶针、探针 订购热线：400-183-6682 产品介绍（产品概述）： 针管：磷铜管镀金 弹簧：不锈钢线 套管：黄铜管镀金 针杆：磷铜镀镍或铍铜（SK4）镀金 钻孔尺寸：1.70mm 额定电流：3安培 接触电阻：50毫欧姆 接触弹力：180g
产品名称：PL75-2S 所属分类：测试探针 产品简介：PL75探针、弹簧针、测试针、顶针、探针 订购热线：400-183-6682 产品介绍（产品概述）： 针管：磷铜管镀金 弹簧：不锈钢线 套管：黄铜管镀金 针杆：磷铜镀镍或铍铜（SK4）镀金 钻孔尺寸：1.70mm 额定电流：3安培 接触电阻：50毫欧姆 接触弹力：180g
产品型号：DP085-FF-5.7L 所属分类：双头探针 产品介绍：探针外径为0.85mm，总长度为5.7mm、针的两端的头型为爪头 产品优势：产品采样稳定、产品过载稳定、产品测试误判率低 主要应用于：IC testing in BGA, micro BGA, CSP socket???? 主要应用行业：手机、电脑、通信等。只要有芯片的行业几乎都被推行使用半导体测试探针进行测试，主要需求量最大的需属芯片封装测试行业。 热线电话：400-183-6682
产品型号：DP078-BQ-5.7L 所属分类：双头探针 产品介绍：探针外径为0.78mm，总长度为5.7mm、针的两端的头型为尖头 、爪头 产品优势：产品采样稳定、产品过载稳定、产品测试误判率低 主要应用于：IC testing in BGA, micro BGA, CSP socket???? 主要应用行业：手机、电脑、通信等。只要有芯片的行业几乎都被推行使用半导体测试探针进行测试，主要需求量最大的需属芯片封装测试行业。 热线电话：400-183-6682
产品型号：DP078-FF-6.3L 所属分类：双头探针 产品介绍：探针外径为0.78mm，总长度为6.3mm、针的两端的头型为爪头 产品优势：产品采样稳定、产品过载稳定、产品测试误判率低 主要应用于：IC testing in BGA, micro BGA, CSP socket???? 主要应用行业：手机、电脑、通信等。只要有芯片的行业几乎都被推行使用半导体测试探针进行测试，主要需求量最大的需属芯片封装测试行业。 热线电话：400-183-6682
产品型号：DP078-BB-6.3L 所属分类：双头探针 产品介绍：探针外径为0.78mm，总长度为6.3mm、针的两端的头型为尖头 产品优势：产品采样稳定、产品过载稳定、产品测试误判率低 主要应用于：IC testing in BGA, micro BGA, CSP socket???? 主要应用行业：手机、电脑、通信等。只要有芯片的行业几乎都被推行使用半导体测试探针进行测试，主要需求量最大的需属芯片封装测试行业。 热线电话：400-183-6682
产品名称：R75-3W、R75-3S 所属分类：测试探针 产品简介：测试探针外径为1.32mm，探针针套R75-3W/3S卡环高度为4.0mm，P75套管 产品介绍（产品概述）: 针管:磷铜管镀金 弹簧：不锈钢线 针杆：铍铜或SK4镀金或铑 套管：磷铜镀金‘ 钻孔尺寸：1.4mm 额定电流：3安培 接触电阻：50毫欧姆 接触弹力：100g 订购热线：400-183-6682
产品名称：R75-2W、R75-2S 所属分类：测试探针 产品简介：测试探针外径为1.32mm，探针针套R75-2W/2S卡环高度为2.5mm，P75套管 产品介绍（产品概述）: 针管:磷铜管镀金 弹簧：不锈钢线 针杆：铍铜或SK4镀金或铑 套管：磷铜镀金‘ 钻孔尺寸：1.4mm 额定电流：3安培 接触电阻：50毫欧姆 接触弹力：100g 订购热线：400-183-6682
产品名称：P75-D1.0、PA75-D1.0 所属分类：测试探针 产品简介：测试探针外径为1.02mm，顶针总长为16.55mm测试探针、顶针、弹簧针、PCB测试针、ICT测试针、测试架探针 产品介绍（产品概述）: 针管:磷铜管镀金 弹簧：不锈钢线 针杆：铍铜或SK4镀金或铑 套管：磷铜镀金‘ 钻孔尺寸：1.4mm 额定电流：3安培 接触电阻：50毫欧姆 接触弹力：100g 订购热线：400-183-6682
产品名称：P75-T2、PA75-T2 所属分类：测试探针 产品简介：测试探针外径为1.02mm，顶针总长为16.55mm测试探针、顶针、弹簧针、PCB测试针、ICT测试针、测试架探针 产品介绍（产品概述）: 针管:磷铜管镀金 弹簧：不锈钢线 针杆：铍铜或SK4镀金或铑 套管：磷铜镀金‘ 钻孔尺寸：1.4mm 额定电流：3安培 接触电阻：50毫欧姆 接触弹力：100g 订购热线：400-183-6682
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探针测试行业发展趋势（1）设备将向高精度化方向发展现阶段半导体器件主要通过提高集成度的方式实现更多功能或更快响应。为此，半导体制造过程一般会缩小器件特征尺寸，如高端逻辑芯片的电路制程线宽已由微米级别缩小至纳米级别，最小已达3纳米；在光电芯片中，最小的Micro LED尺寸也已经缩小至50μm以下。此外，为避免器件集成度提高后单位制造成本过度上涨，业界一般使用更大尺寸的晶圆，通过在单片晶圆片上制造更多的芯片并提高边缘区域使用率的方法降低单位制造成本，目前主流晶圆尺寸已从4英寸、6英寸，逐步发展到8英寸和12英寸。